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最新Qorvo技术支持更高性能的GaN分立式LNA和驱动器

日期:2017-12-29 11:03      人气:     

最新Qorvo技术支持更高性能的GaN分立式LNA和驱动器

  实现互联世界的创新RF解决方案提供商Qorvo, Inc.今天发布了一系列六款全新的氮化镓(GaN)芯片晶体管---TGF2933-36和TGF2941-42,新产品的高频性能更出色,噪声更低,这对先进的通信、雷达和国防RF系统应用而言甚为关键。

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  该系列的这六款全新GaN晶体管及其相关模型的制造工艺采用了业内独有的Qorvo 0.15um碳化硅基氮化镓(SiC)工艺——QGaN15。QGaN15工艺令晶体管工作频率高达25 GHz,支持芯片级设计,通过K频段应用提供频率更高且经济高效的分立式技术。

  Qorvo高性能解决方案事业部总经理Roger Hall表示:“高性能GaN产品、互补模块和专业的应用工程支持有机结合,使得Qorvo脱颖而出。我们帮助设计人员将产品加速推向市场。”

  支持迅速、准确的性能测试并加速生产就绪过程的线性、非线性以及噪声模型由我们的合作伙伴、仿真技术领域的领先企业Modelithics, Inc.提供。这些模型提供的功能包括扩展工作电压、环境温度和自热效应,以及针对波形优化的固有电压/电流节点访问。

  下表简要介绍了QGaN15产品的特性。

  10GHz时的数据:

  

最新Qorvo技术支持更高性能的GaN分立式LNA和驱动器

  Qorvo是国防和有线行业的领先GaN RF供应商*。自1999年起,Qorvo 就一直在推动GaN研究和创新,提供经过检验的GaN电路可靠性和紧凑型、高效率产品。Qorvo于2014年完成了美国国防生产法案第三法令的GaN on SiC计划,是获得国防制造电子机构认证的1A类可信来源。公司还是唯一一家达到制造成熟度(MRL)9级的GaN供应商。Qorvo一直推动GaN产品的下一代系统创新(从直流到Ka频段),凭借其可靠的性能、低维护和长运行寿命,成功实现从工厂到现场的转变。